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| 高亮度半导体激光器 专利 专利号: CN204633124U, 申请日期: 2015-09-09, 公开日期: 2015-09-09 作者: 何景瓷
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| 高亮度半导体激光器 专利 专利号: CN204633124U, 申请日期: 2015-09-09, 公开日期: 2015-09-09 作者: 何景瓷
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| 国际科学技术前沿报告2015 专著 北京:科学出版社, 2015年6月第1版, 2015 作者: 张晓林 ; 张志强![](/image/person.jpg)
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| 拓扑绝缘体量子点中的少电子问题 学位论文 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015 李健
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| 基于SOI工艺抗辐照嵌入式SRAM关键技术研究 学位论文 工学博士, 中国科学院自动化研究所: 中国科学院大学, 2015 作者: 刘丽
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| Checkerboard模型中的磁振子霍尔效应 期刊论文 2015 高召静; 施天谟
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| 0.18 um部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体电路单粒子瞬态特性研究 期刊论文 物理学报, 2015 作者: 赵星; 梅博; 毕津顺
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2016/05/26 |
| 倏逝波锁模吸收体器件及锁模光纤激光器 专利 专利号: CN204304213U, 申请日期: 2015-04-29, 公开日期: 2015-04-29 作者: 闫培光; 阮双琛; 曹广忠
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| 具有高击穿电压的HEMT及其制造方法 专利 专利号: CN201110116103.0, 申请日期: 2015-04-08, 公开日期: 2012-11-07 作者: 赵超 ; 罗军 ; 陈大鹏 ; 叶甜春![](/image/person.jpg)
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