| 高亮度半导体激光器 | |
| 何景瓷 | |
| 2015-09-09 | |
| 著作权人 | 何景瓷 |
| 专利号 | CN204633124U |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 高亮度半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本实用新型公开了高亮度半导体激光器，包括玻璃板、磷光层、栅极、绝缘体、电子发射尖锥、发射极、基板、阴极、侧板、脊形主震荡区、锥形增益放大区、和基底，所述基板上方设置有阴极，阴极两端分别设置有绝缘体，绝缘体上设置有栅极，阴极上方中心设置有发射极，发射极与栅极之间分别设置有电子发射尖锥，发射极上方设置有磷光层，磷光层下方设有基底，脊形主震荡区设置基底中部，锥形增益放大区设置在基底上，锥形增益放大区与脊形主震荡区连接。与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型提高了激光器的效率和功率，也保持了高光束质量，高亮度激光输出的良好结果，结构简单、制造成本低廉、发射率高、亮度均匀。 |
| 公开日期 | 2015-09-09 |
| 申请日期 | 2015-05-04 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49868]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 何景瓷 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 何景瓷. 高亮度半导体激光器. CN204633124U. 2015-09-09. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论