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提高浅沟槽隔离化学机械平坦化均匀性的方法 专利
专利号: CN201110125319.3, 申请日期: 2015-10-21, 公开日期: 2012-11-21
作者:  杨涛;  刘金彪;  李俊峰;  赵超
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SiGe HBT单粒子效应敏感区域分布与加固设计研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:  李培
收藏  |  浏览/下载:61/0  |  提交时间:2015/06/15
SiGe HBT单粒子效应敏感区域分布与加固设计研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2015
作者:  李培
收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2015/06/15
半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201110254440.6, 申请日期: 2015-04-15, 公开日期: 2013-03-06
作者:  朱慧珑;  梁擎擎;  骆志炯;  尹海洲
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一种多值非挥发存储器及其制备方法 专利
专利号: CN201110067070.5, 申请日期: 2015-04-15, 公开日期: 2012-09-26
作者:  龙世兵;  朱晨昕;  李冬梅;  刘明;  许中广
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