提高浅沟槽隔离化学机械平坦化均匀性的方法

	提高浅沟槽隔离化学机械平坦化均匀性的方法
	杨涛; 刘金彪; 李俊峰; 赵超
	2015-10-21
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201110125319.3
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了提高浅沟槽隔离化学机械平坦化均匀性的方法，包括：在浅沟槽中淀积形成氧化硅隔离层，所述氧化硅隔离层具有凸出部分和凹陷部分；执行离子注入，改变所述凸出部分的结晶状态；对所述氧化硅隔离层执行化学机械抛光，直至露出停止层。依照本发明的提高浅沟槽隔离化学机械平坦化均匀性的方法，采用了离子注入与氧化硅CMP工艺复合使用，通过对凸出部分氧化硅进行离子注入处理，来提高CMP研磨液对凸出部分氧化硅的材料移除速率。在STI?CMP过程中，达到降低浅沟槽隔离区和非隔离区上方氧化层的厚度落差的目的，从而提高STICMP工艺的平坦化均匀性，即降低产生凹陷缺陷的程度。
公开日期	2012-11-21
申请日期	2011-05-16
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/15634]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	杨涛,刘金彪,李俊峰,等. 提高浅沟槽隔离化学机械平坦化均匀性的方法. CN201110125319.3. 2015-10-21.