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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2015    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 新型衬底氮化物LED外延及发光机制的研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015 安平博 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2015/12/02 非晶玻璃衬底  GaN  AlN  石墨烯  选区生长  溅射  生长机制   硅衬底氮化镓材料制备生长研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院大学, 2015 冯玉霞 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2015/06/02 Si衬底  AlN  GaN  生长机制  应力   Si(111)衬底上GaN外延的MOCVD生长及特性研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015 赵丹梅 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2015/06/02 GaN  MOCVD