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| 高亮度半导体激光器 专利
专利号: CN204633124U, 申请日期: 2015-09-09, 公开日期: 2015-09-09
作者: 何景瓷
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| 高亮度半导体激光器 专利
专利号: CN204633124U, 申请日期: 2015-09-09, 公开日期: 2015-09-09
作者: 何景瓷
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| 倏逝波锁模吸收体器件及锁模光纤激光器 专利
专利号: CN204304213U, 申请日期: 2015-04-29, 公开日期: 2015-04-29
作者: 闫培光; 阮双琛; 曹广忠
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| 具有高击穿电压的HEMT及其制造方法 专利
专利号: CN201110116103.0, 申请日期: 2015-04-08, 公开日期: 2012-11-07
作者: 赵超 ; 罗军; 陈大鹏; 叶甜春
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| 倏逝波锁模吸收体器件及其制备方法 专利
专利号: CN104377539A, 申请日期: 2015-02-25, 公开日期: 2015-02-25
作者: 闫培光; 阮双琛; 曹广忠
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| 一种半导体激光器 专利
专利号: CN104362508A, 申请日期: 2015-02-18, 公开日期: 2015-02-18
作者: 聂成
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| 一种半导体激光器 专利
专利号: CN204130903U, 申请日期: 2015-01-28, 公开日期: 2015-01-28
作者: 聂成
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| 线偏振平面光波对处于拓扑绝缘体衬底上方微粒的可调谐捕获和筛选的方法 专利
申请日期: 2015-01-01, 公开日期: 2015-12-02
作者: 曹暾
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| 斜入射光在拓扑绝缘体金属多层核-壳体表面产生可调谐非梯度光学力的方法 专利
申请日期: 2015-01-01, 公开日期: 2015-12-23
作者: 曹暾
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| 线偏振平面光波对衬底上方的拓扑绝缘体微粒的可调谐捕获和筛选的方法 专利
申请日期: 2015-01-01, 公开日期: 2015-12-23
作者: 曹暾
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