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| GaAs基含B高应变量子阱及其制备方法、半导体激光器 专利
专利号: CN103151710B, 申请日期: 2014-12-31, 公开日期: 2014-12-31
作者: 王琦; 贾志刚; 郭欣; 任晓敏; 黄永清
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| GaAs基含B高应变量子阱及其制备方法、半导体激光器 专利
专利号: CN103151710B, 申请日期: 2014-12-31, 公开日期: 2014-12-31
作者: 王琦; 贾志刚; 郭欣; 任晓敏; 黄永清
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| 燃料电池的MEMS制造方法 专利
专利号: CN201110133383.6, 申请日期: 2014-12-24, 公开日期: 2012-11-28
作者: 李春龙 ; 赵超
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| 燃料电池极板的MEMS制造方法 专利
专利号: CN201110134239.4, 申请日期: 2014-12-24, 公开日期: 2012-11-28
作者: 李春龙; 赵超
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| 无铝半导体激光器结构 专利
专利号: CN104242058A, 申请日期: 2014-12-24, 公开日期: 2014-12-24
作者: 许并社; 董海亮; 梁建; 马淑芳; 余春艳
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| 利用选择区域外延技术制作激光器阵列的方法 专利
专利号: CN104242059A, 申请日期: 2014-12-24, 公开日期: 2014-12-24
作者: 梁松; 朱洪亮
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| 一种对纳米尺度元件进行套刻的方法 专利
专利号: CN201110087449.2, 申请日期: 2014-12-17, 公开日期: 2012-10-17
作者: 朱效立; 刘明; 谢常青; 方磊; 李冬梅
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| SOI MOS晶体管 专利
专利号: CN201210154443.7, 申请日期: 2014-12-17, 公开日期: 2012-09-19
作者: 罗家俊; 李莹; 毕津顺; 韩郑生
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| 发光器件、发光器件封装以及照明系统 专利
专利号: CN104201267A, 申请日期: 2014-12-10, 公开日期: 2014-12-10
作者: 金省均; 林祐湜; 金明洙; 秋圣镐; 罗珉圭
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| 混合垂直腔激光器 专利
专利号: CN102388513B, 申请日期: 2014-12-10, 公开日期: 2014-12-10
作者: 郑一淑
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