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一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构 专利
专利号: CN201110007880.1, 申请日期: 2014-10-22, 公开日期: 2012-07-18
作者:  刘刚;  刘梦新;  毕津顺;  罗家俊;  韩郑生
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基于速度滑移和温度阶跃的螺旋槽干气密封气膜流场研究 学位论文
2014
作者:  刘勇
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