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一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构 专利
专利号: CN201110007880.1, 申请日期: 2014-10-22, 公开日期: 2012-07-18
作者:  刘刚;  刘梦新;  毕津顺;  罗家俊;  韩郑生
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含铅污泥中铅的激光诱导击穿光谱特性研究 期刊论文
中国激光, 2014, 卷号: 41
作者:  余洋;  赵南京;  王寅;  孟德硕;  胡丽
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