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合肥物质科学研究院 [1]
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专利 [1]
期刊论文 [1]
发表日期
2014 [2]
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发表日期:2014
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一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构
专利
专利号: CN201110007880.1, 申请日期: 2014-10-22, 公开日期: 2012-07-18
作者:
刘刚
;
刘梦新
;
毕津顺
;
罗家俊
;
韩郑生
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2016/04/01
含铅污泥中铅的激光诱导击穿光谱特性研究
期刊论文
中国激光, 2014, 卷号: 41
作者:
余洋
;
赵南京
;
王寅
;
孟德硕
;
胡丽
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2020/10/26
光谱学
激光诱导击穿光谱
含铅污泥
铅
等离子体温度
电子密度
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