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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2014    专题：山东大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种使用图形化退火多孔结构进行GaN单晶生长的方法 专利 申请日期: 2014-06-18, 公开日期: 2014-06-18 作者:  郝霄鹏;  戴元滨;  吴拥中;  张雷;  邵永亮 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/04