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	一种使用图形化退火多孔结构进行GaN单晶生长的方法
	郝霄鹏; 戴元滨; 吴拥中; 张雷; 邵永亮; 刘晓燕; 田媛
	2014-06-18
权利人	山东大学
公开日期	2014-06-18
URL标识	查看原文
内容类型	专利
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6456949
专题	山东大学
推荐引用方式 GB/T 7714	郝霄鹏,戴元滨,吴拥中,等. 一种使用图形化退火多孔结构进行GaN单晶生长的方法. 2014-06-18.

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