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微电子研究所 [4]
内容类型
专利 [2]
期刊论文 [2]
发表日期
2014 [4]
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发表日期:2014
专题:微电子研究所
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Increase of the Reliability of the Junction Terminations of Reverse-Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor by Appropriate Backside Layout Design
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2014
作者:
Teng Y(腾渊)
;
Zhang WL(张文亮)
;
Zhu YJ(朱阳军)
;
Lu SJ(卢烁今)
;
Tian XL(田晓丽)
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2015/05/06
A 65nm 1Gb NOR Floating-gate Flash Memory with Less than 50ns Access time
期刊论文
Chinese Science bulletin, 2014, 期号: 29, 页码: 3935-3942
作者:
Liu M(刘明)
;
Wang Y(王瑜)
;
Huo ZL(霍宗亮)
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2015/04/13
半导体器件及其制造方法
专利
专利号: US8779475, 申请日期: 2014-07-15, 公开日期: 2012-12-27
作者:
赵超
;
王桂磊
;
李春龙
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2015/05/27
半导体器件及其制造方法
专利
专利号: US8703567, 申请日期: 2014-04-22, 公开日期: 2012-12-27
作者:
李春龙
;
王桂磊
;
赵超
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2015/05/27
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