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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2013     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 PECVD下基底温度对SiC薄膜形态、成分及生长速度的影响 期刊论文 无机材料学报, 2013, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 201-206 作者:  于方丽;  白宇;  秦毅;  岳冬;  罗才军 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/10 基底温度  等离子体增强化学气相沉积  非晶态薄膜  生长速度  碳化硅