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红荧烯多晶薄膜制备及晶体管性质 学位论文
博士, 中国科学院长春应用化学研究所: 中国科学院研究生院, 2013
作者:  钱先锐
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2016/09/13
Interface design and properties in InAs/GaSb type-II superlattices grown by molecular beam epitaxy 会议论文
International Symposium on Photoelectronic Detection and Imaging:Infrared Imaging and Applications, Beijing, 2013-06-25
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收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2014/11/11
Influence of He implantation dose on strain relaxation of pseudomorphic SiGe/Si heterostructure 期刊论文
THIN SOLID FILMS, 2013, 卷号: 542, 页码: 129-133
作者:  Liu, LJ;  Xue, ZY;  Chen, D;  Mu, ZQ;  Bian, JT
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/05/25
The investigation of GaInP solar cell grown by all-solid MBE 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 378, 期号: 0, 页码: 604-606
作者:  Lu, SL(陆书龙);  Ji, L
收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2014/01/15
Optimization of SiGe selective epitaxy for source/drain engineering 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2013
作者:  M.Kolahdouz;  Wang GL(王桂磊);  M.Moeen;  A.Abedin;  Luo J(罗军)
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2014/10/30
Mechanism of TMAl pre-seeding in AlN epitaxy on Si (111) substrate 期刊论文
Vacuum, 2013
作者:  Bao QL(包琦龙);  Luo J(罗军);  Zhao C(赵超)
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2014/10/30
Method of forming a group III-nitride crystalline film on a patterned substrate by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) 专利
专利号: US8507304, 申请日期: 2013-08-13, 公开日期: 2013-08-13
作者:  KRYLIOUK, OLGA;  MELNIK, YURIY;  KOJIRI, HIDEHIRO;  ISHIKAWA, TETSUYA
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/24
Defect suppression in AlN epilayer using hierarchical growth units 期刊论文
http://dx.doi.org/10.1021/jp401745v, 2013
Zhuang, Qi; Lin, Wei; Yang, Weihuang; Yang, Wencao; Huang, Chengcheng; Li, Jinchai; Chen, Hangyang; Li, Shuping; Kang, Junyong; 陈航洋; 康俊勇
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/07/22
Molecular beam epitaxy growth of peak wavelength-controlled ingaas/algaas quantum wells for 4.3-μm mid-wavelength infrared detection 期刊论文
Nanoscale research letters, 2013, 卷号: 8, 期号: 1
作者:  Shi,Zhenwu;  Wang,Lu;  Zhen,Honglou;  Wang,Wenxin;  Chen,Hong
收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/05/09
Electrical and optical inhomogeneity in N-face GaN grown by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 372, 期号: 0, 页码: 43-48
作者:  Ren, GQ(任国强);  Xu, K(徐科);  Su, XJ(苏旭军);  Yang, H(杨辉);  Zhou, TF(周桃飞)
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