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一种高质量应变的Ge/SiGe超晶格结构及其制备方法 专利
专利号: CN102162137B, 申请日期: 2013-05-29, 公开日期: 2013-05-29
作者:  刘学超;  杨建华;  施尔畏
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张应变半导体光子发射和检测装置和集成的光子学系统 专利
专利号: CN102957091A, 申请日期: 2013-03-06, 公开日期: 2013-03-06
作者:  P・A・克利夫顿;  A・格贝尔;  R・S・盖恩斯
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内蒙古巴彦温多尔金矿床韧性剪切带特征及成矿机制 期刊论文
黄金科学技术, 2013
张勇; 王翠仙; 罗学辉; 朝银银; 徐涛
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表面/界面改性改善GaN初始成岛和InGaN有源层外延 学位论文
2013, 2013
熊欢
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锂电池的电极失效机制的力学表征及模拟 会议论文
中国力学大会--2013, 中国北京, 2013-08-19
作者:  张敏;  魏悦广
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2013美国材料研究协会秋季会议 期刊论文
中国材料进展, 2013, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 764-765,751
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