| 张应变半导体光子发射和检测装置和集成的光子学系统 | |
| P・A・克利夫顿; A・格贝尔; R・S・盖恩斯 | |
| 2013-03-06 | |
| 著作权人 | 阿科恩科技公司 |
| 专利号 | CN102957091A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 张应变半导体光子发射和检测装置和集成的光子学系统 |
| 英文摘要 | 提供了张应变锗，其被充分张应变，以提供近乎直接带隙材料或完全直接带隙材料。与锗区域接触的承受压应力或拉伸应力的应力源材料在锗区域中引起单轴或双轴张应变。应力源材料可以包括氮化硅或硅锗。所产生的应变锗结构可被用于发射或检测光子，包括例如在谐振腔中产生光子以提供出激光器。 |
| 公开日期 | 2013-03-06 |
| 申请日期 | 2012-08-10 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57437]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 阿科恩科技公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | P・A・克利夫顿,A・格贝尔,R・S・盖恩斯. 张应变半导体光子发射和检测装置和集成的光子学系统. CN102957091A. 2013-03-06. |
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