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一种碳基半导体器件制备工艺中对衬底进行预处理的方法 专利
专利号: CN103456607A, 申请日期: 2013-12-18,
作者:  史敬元;  金智;  张大勇;  麻芃;  彭松昂
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一种提高碳基半导体器件迁移率的衬底处理方法 专利
专利号: CN103441223A, 申请日期: 2013-12-11,
作者:  麻芃;  彭松昂;  张大勇;  金智;  史敬元
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2017/05/27
原子层沉积法 生长ZnO的性质与前驱体源量的关系研究 期刊论文
物理学报, 2013
作者:  董亚斌;  夏洋
收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2014/10/22
一种芯片表面形貌仿真的方法及装置 专利
申请日期: 2013-03-21,
作者:  徐勤志;  陈岚
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一种对蓝宝石晶片进行减薄的方法 专利
专利号: CN201010145284.5, 申请日期: 2013-02-06, 公开日期: 2011-10-12
作者:  庞磊;  汪宁;  陈晓娟;  罗卫军;  刘新宇
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