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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2012     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种在SiC材料上生长SiO2钝化层的方法 专利 专利号: CN102810465, 申请日期: 2012-12-05, 作者:  周静涛;  李博;  申华军;  白云;  汤益丹 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2016/06/20