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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2012     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 GaAs-GaN键合界面热应力的电子背散射衍射研究 期刊论文 2012, 2012 田彦宝; 吉元 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2017/06/16 GaAs-GaN  热应力  晶片键合  电子背散射衍射(EBSD)   GaAs-GaN键合界面热应力的EBSD分析 会议论文 田彦宝; 吴迪; 吉元; 郭霞; 沈光地 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2017/06/16 边缘区域:5466,热应力:4669,位错密度:3463,晶片键合:3249,直接键合:3109,背散射:2050,半导体:1843,质量优:1784,测试结果:1704,键合技术:1546   半导体激光装置及其制造方法 专利 专利号: CN1744398B, 申请日期: 2012-02-15, 公开日期: 2012-02-15 作者:  畑雅幸;  别所靖之;  野村康彦;  庄野昌幸 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 基于ITO键合技术的白光发光二极管特性研究 The Properties of the ITO Bonded GaN/GaAs White Emitting Diode 期刊论文 2012, 卷号: 32, 页码: 170-174 作者:  顾晓玲[1];  曾孝平[1];  沈光地[2];  李国军[1,3] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/11/29