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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2012    专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 华北克拉通东部地壳和上地幔结构的接收函数研究 期刊论文 地球物理学报, 2012 郭震; 唐有彩; 陈永顺; 宁杰远; 冯永革; 岳汉 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/10/24 华北克拉通  地壳和上地幔间断面  S波接收函数  泊松比  鲁西隆起  苏鲁大别超高压变质带  LAB  North China Craton  Discontinuity of crust and upper mantle  S receiver function  LAB  Poisson&apos  Luxi uplift  Sulu-Dabie ultra-high-pressure metamorphic belt  s ratio   Image Approximations to Electrostatic Potentials in Layered Electrolytes/Dielectrics and an Ion-Channel Model 其他 2012-01-01 Lin, Huimin; Xu, Zhenli; Tang, Huazhong; Cai, Wei 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/10 Poisson-Boltzmann equation  Layered electrolytes and dielectrics  Method of images  Ion channels  Hybrid explicit/implicit solvent models  POISSON-BOLTZMANN EQUATION  DIELECTRIC SPHERE  REACTION FIELD  SOLVATION MODEL  CHARGE METHOD  SIMULATIONS  BIOLOGY  SYSTEM  FORCES   A unified charge-based model for SOI MOSFETs applicable from intrinsic to heavily doped channel 期刊论文 chinese physics b, 2012 Zhang Jian; He Jin; Zhou Xing-Ye; Zhang Li-Ning; Ma Yu-Tao; Chen Qin; Zhang Xu-Kai; Yang Zhang; Wang Rui-Fei; Han Yu; Chan Mansun 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 charge-based model  silicon-on-insulator metal-oxide semiconductor field-effect transistors  compact model  double gate  SURROUNDING-GATE MOSFETS  COMPACT MODEL  THRESHOLD VOLTAGE  MOS-TRANSISTOR  CORE MODEL  CMOS  INVERSION  DESIGN  DEVICE  BODY   Gate Underlap Design for Short Channel Effects Control in Cylindrical Gate-all-around MOSFETs based on an Analytical Model 期刊论文 iete technical review, 2012 Zhang, Lining; Wang, Shaodi; Ma, Chenyue; He, Jin; Xu, Chunkai; Ma, Yutao; Ye, Yun; Liang, Hailang; Chen, Qin; Chan, Mansun 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 Conformal mapping  Gate-all-around MOSFET  Gate underlap  Short channel effects  TCAD simulations  SOI MOSFETS  FRINGING FIELDS  SCALING THEORY  DEVICES