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安徽大学 [2]
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期刊论文 [2]
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2011 [2]
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Advancements in organic nonvolatile memory devices
期刊论文
Chinese Science Bulletin, 2011, 卷号: Vol.56 No.30, 页码: 3178-3190
作者:
Dai,YH
;
Li,DM
;
Ji,ZY
;
Shang,LW
;
Liu,M
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提交时间:2019/04/22
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
NEGATIVE-DIFFERENTIAL-RESISTANCE
POLYMERIC GATE ELECTRET
COMPLEX THIN-FILM
BISTABLE DEVICES
NANOIMPRINT LITHOGRAPHY
MULTILEVEL CONDUCTANCE
CONJUGATED POLYMER
SOLAR-CELLS
HALF-PITCH
Organic Programmable Resistance Memory Device Based on Au/Alq(3)/gold-nanoparticle/Alq(3)/Al Structure
期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2011, 卷号: Vol.32 No.8, 页码: 1140-1142
作者:
Ji,ZY
;
Wang,H
;
Shang,LW
;
Liu,M
;
Lu,CY
收藏
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  |  
提交时间:2019/04/22
BISTABLE MEMORY
BISTABILITY
TRANSISTORS
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