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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2011     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种硅基绝缘体上锗衬底减薄的方法 专利 申请日期: 2011-12-05, 公开日期: 2012-11-20 作者:  王虹;  卢力;  赵威;  王盛凯;  刘洪刚 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2012/11/20 超薄绝缘体上锗(GOI)材料制备及其性质研究 学位论文 2011, 2011 胡美娇 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2016/02/14 锗浓缩  氧化  退火  GOI  肖特基源漏结MOSFETs  Ge condensation  Oxidation  Annealing  GOI  Schottky source/drain junction MOSFETs   循环氧化/退火制备GeOI薄膜材料及其性质研究 期刊论文 2011 胡美娇; 李成; 徐剑芳; 赖虹凯; 陈松岩 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2016/05/17 GeOI  氧化  退火  光致发光谱  GeOI  thermal oxidation  thermal annealing  photoluminescence   体硅及绝缘体上应变硅、应变锗硅制备技术研究 学位论文 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2011 薛忠营 收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2012/03/06