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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2011    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Optical bistability in gainasp/inp coupled-circular resonator microlasers 期刊论文 Optics letters, 2011, 卷号: 36, 期号: 17, 页码: 3515-3517 作者:  Lin, Jian-Dong;  Huang, Yong-Zhen;  Yang, Yue-De;  Yao, Qi-Feng;  Lv, Xiao-Meng 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 First-principles study of magnetic properties in mo-doped graphene 期刊论文 Journal of physics-condensed matter, 2011, 卷号: 23, 期号: 34, 页码: 6 作者:  Kang, Jun;  Deng, Hui-Xiong;  Li, Shu-Shen;  Li, Jingbo 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Effect of high temperature algan buffer thickness on gan epilayer grown on si(111) substrates 期刊论文 Journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032 作者:  Wei, Meng;  Wang, Xiaoliang;  Pan, Xu;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum interference effect in electron tunneling through a quantum-dot-ring spin valve 期刊论文 Nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 期号: 1 作者:  Ma,Jing-Min;  Zhao,Jia;  Zhang,Kai-Cheng;  Peng,Ya-Jing;  Chi,Feng 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Strain-induced anticrossing of bright exciton levels in single self-assembled gaas/alxga1-xas and inxga1-xas/gaas quantum dots 期刊论文 Physical review b, 2011, 卷号: 83, 期号: 12, 页码: 4 作者:  Plumhof, J. D.;  Krapek, V.;  Ding, F.;  Joens, K. D.;  Hafenbrak, R. 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Cathodoluminescence of yellow and blue luminescence in undoped semi-insulating gan and n-gan 期刊论文 Chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 4 作者:  Hou Qi-Feng;  Wang Xiao-Liang;  Xiao Hong-Ling;  Wang Cui-Mei 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Detection of large in-plane spin-dephasing anisotropy in [100]-grown gaas/algaas quantum wells 期刊论文 Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2011, 卷号: 43, 期号: 5, 页码: 1127-1130 作者:  Han, L. F.;  Zhang, X. H.;  Ni, H. Q.;  Niu, Z. C. 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Strain-induced anticrossing of bright exciton levels in single self-assembled GaAs/AlxGa1-xAs and InxGa1-xAs/GaAs quantum dots 期刊论文 physical review b, 2011, 卷号: 83, 期号: 12, 页码: article no.121302 Plumhof JD; Krapek V; Ding F; Jons KD; Hafenbrak R; Klenovsky P; Herklotz A; Dorr K; Michler P; Rastelli A; Schmidt OG 收藏  |  浏览/下载：64/2  |  提交时间：2011/07/05 ENTANGLED PHOTON PAIRS  SEMICONDUCTOR  SPIN   Detection of large in-plane spin-dephasing anisotropy in [100]-grown GaAs/AlGaAs quantum wells 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2011, 卷号: 43, 期号: 5, 页码: 1127-1130 作者:  Zhang XH 收藏  |  浏览/下载：49/3  |  提交时间：2011/07/05 ZINCBLENDE HETEROSTRUCTURES  RELAXATION ANISOTROPY  SYSTEMS  SPINTRONICS  DYNAMICS   Effects of ultra-low Al alloying In(Al) As layer on the formation and evolution of InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.94311 作者:  Xu B;  Zhou GY;  Ye XL;  Zhang HY 收藏  |  浏览/下载：55/5  |  提交时间：2011/07/05 SELF-ORGANIZED ISLANDS  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  SURFACES  EMISSION  DENSITY  SIZE