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| 利用半导体PN结结电容构成的电容器及其制作方法 专利
专利号: CN101814531A, 申请日期: 2010-08-25, 公开日期: 2010-08-25
作者: 吕垚; 万里兮 ; 李宝霞
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| 燃料棒电子束环焊缝试样腐蚀后产生蓝色氧化膜环的机理 期刊论文
2010, 2010
杨晓东; 白新德; 伍志明; YANG Xiao-dong; BAI Xin-de; WU Zhi-ming
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| 大束流离子注入形成P-SiCoSi_2/Si肖特基结的电学特性 期刊论文
2010, 2010
李英; 王玉花; 王燕; 田立林; LI Ying; WANG Yuhua; WANG Yan; TIAN Lilin
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| 退火对NiTi合金材料表面氧离子注入所产生残余应力影响的试验研究 期刊论文
2010, 2010
王强; 王彪; 马德才; 戴福隆; Wang Qiang; Wang Biao; Ma Decai; Dai Fulong
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| 平面型GaN基紫外探测器的制备与性能研究 学位论文
: 中国科学院研究生院, 2010
作者: 包西昌
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2012/09/11
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| 采用局部二次掺杂工艺调整变容二极管特性的方法 专利
专利号: CN101621027, 申请日期: 2010-01-06, 公开日期: 2010-01-06
作者: 金智; 王显泰
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2010/11/26 |
| 针孔直径对自参考干涉波前传感器测量精度的影响 期刊论文
物理学报, 2010, 期号: 3, 页码: 1632-1637
作者: 白福忠; 饶长辉
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2016/11/15 |
| 二次退火制备I I I-V族半导体量子点 期刊论文
人工晶体学报, 2010, 卷号: 39, 期号: 3, 页码: 747-750
作者: 金鹏
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2011/08/16 |
