QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2010    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Metamorphic ingaas p-i-n photodetectors with 1.75 mu m cut-off wavelength grown on gaas 期刊论文 Chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 4 作者:  Zhu Bin;  Han Qin;  Yang Xiao-Hong;  Ni Hai-Qiao;  He Ji-Fang 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Metamorphic InGaAs p-i-n Photodetectors with 1.75 mu m Cut-Off Wavelength Grown on GaAs 期刊论文 chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: art. no. 038504 Zhu B (Zhu Bin); Han Q (Han Qin); Yang XH (Yang Xiao-Hong); Ni HQ (Ni Hai-Qiao); He JF (He Ji-Fang); Niu ZC (Niu Zhi-Chuan); Wang X (Wang Xin); Wang XP (Wang Xiu-Ping); Wang J (Wang Jie) 收藏  |  浏览/下载：127/5  |  提交时间：2010/04/22 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  BUFFER LAYERS  DARK CURRENT  PHOTODIODES  LASERS