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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2010    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 非掺半绝缘InP材料的电子辐照缺陷研究 期刊论文 四川大学学报. 自然科学版, 2010, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1069-1072 陈燕; 邓爱红; 赵有文; 张英杰; 余鑫祥; 喻菁; 龙娟娟; 周宇璐; 张丽然 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2011/08/16 一种新型的光子晶体偏振光分束器的设计 期刊论文 物理学报, 2010, 卷号: 59, 期号: 8, 页码: 5547-5552 郭浩; 吴评; 于天宝; 廖清华; 刘念华; 黄永箴 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2011/08/16 纳米二氧化钒薄膜的电学与光学相变特性 期刊论文 光谱学与光谱分析, 2010, 卷号: 30, 期号: 4, 页码: 1002-1007 作者:  王晓东;  刘剑;  李贵柯;  季安;  梁继然 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2011/08/16 二维GaAs基光子晶体微腔的制作与光谱特性分析 期刊论文 物理学报, 2010, 卷号: 59, 期号: 10, 页码: 7073-7077 作者:  徐波;  彭银生;  梁松;  叶小玲;  杨晓红 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2011/08/16 多孔硅的孔隙对硫化锌/多孑L硅光电性质的影响 期刊论文 激光技术, 2010, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 766-769 作者:  梁德春 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2011/08/16 高击穿电压AlGaN/GaN HEMT电力开关器件研究进展 期刊论文 半导体技术, 2010, 卷号: 35, 期号: 5, 页码: 417-422 作者:  张明兰 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2011/08/16 自支撑GaN厚膜制备及其光学性能研究 期刊论文 稀有金属材料与工程, 2010, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 2169-2172 作者:  羊建坤;  段瑞飞;  霍自强;  魏同波 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2011/08/16 InGaN基发光二极管的反常特性研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2010 作者:  丁凯 收藏  |  浏览/下载：351/144  |  提交时间：2010/06/02 AlGaN/GaN HEMT中电场分布的ATLAS模拟 期刊论文 半导体技术, 2010, 卷号: 35, 期号: 9, 页码: 874-876,902 作者:  张明兰 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2011/08/16 退火温度对ZnS/PS薄膜的晶体结构和光电性质的影响 期刊论文 光电子·激光, 2010, 卷号: 21, 期号: 12, 页码: 1805-1808 作者:  梁德春 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2011/08/16