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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2010    学科主题：半导体材料    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Variation of Optical Quenching of Photoconductivity with Resistivity in Unintentional Doped GaN 期刊论文 chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: art. no. 057104 Hou QF (Hou Qi-Feng); Wang XL (Wang Xiao-Liang); Xiao; HL (Xiao Hong-Ling); Wang CM (Wang Cui-Mei); Yang CB (Yang Cui-Bai); Li JM (Li Jin-Min) 收藏  |  浏览/下载：256/64  |  提交时间：2010/05/24 N-TYPE GAN  DEEP LEVELS  SELENIDE  DEFECTS   Hydride Vapor Phase Epitaxy Growth of Semipolar, 10(1)over-bar(3)over-barGaN on Patterned m-Plane Sapphire 期刊论文 journal of the electrochemical society, 2010, 卷号: 157, 期号: 7, 页码: h721-h726 Wei TB (Wei T. B.); Hu Q (Hu Q.); Duan RF (Duan R. F.); Wei XC (Wei X. C.); Yang JK (Yang J. K.); Wang JX (Wang J. X.); Zeng YP (Zeng Y. P.); Wang GH (Wang G. H.); Li JM (Li J. M.) 收藏  |  浏览/下载：293/52  |  提交时间：2010/06/18 atomic force microscopy   Electroluminescence behavior of ZnO/Si heterojunctions: Energy band alignment and interfacial microstructure 期刊论文 journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 8, 页码: art. no. 083701 作者:   收藏  |  浏览/下载：145/29  |  提交时间：2010/05/24 LIGHT-EMITTING-DIODES  SPECTROSCOPY  EPITAXY  GROWTH  FILM  SIO2