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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 发表日期：2009    专题：厦门大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Photoluminescence from heterogeneous SiGe/Si nanostructures prepared via a two-step approach strategy 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1016/j.jlumin.2009.04.033, 2009 Zhou, B.; Pan, S. W.; Chen, S. Y.; Li, C.; Lai, H. K.; Yu, J. Z.; Zhu, X. F.; 朱贤方 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2013/12/12 SILICON THIN-FILMS  VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE  POROUS SI1-XGEX  QUANTUM CONFINEMENT  SI  NANOCRYSTALS  DEFECTS  GROWTH  WELLS   Photoluminescence from heterogeneous SiGe/Si nanostructures prepared via a two-step approach strategy 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1016/j.jlumin.2009.04.033, 2009 Zhou, B.; Pan, S. W.; Chen, S. Y.; Li, C.; Lai, H. K.; Yu, J. Z.; Zhu, X. F.; 陈松岩 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2013/12/12 SILICON THIN-FILMS  VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE  POROUS SI1-XGEX  QUANTUM CONFINEMENT  SI  NANOCRYSTALS  DEFECTS  GROWTH  WELLS   Photoluminescence from heterogeneous SiGe/Si nanostructures prepared via a two-step approach strategy 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1016/j.jlumin.2009.04.033, 2009 Zhou, B; Pan, SW; Chen, SY; Li, C; Lai, HK; Yu, JZ; Zhu, XF; 李成 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2013/12/12 SILICON THIN-FILMS  VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE  POROUS SI1-XGEX  QUANTUM CONFINEMENT  SI  NANOCRYSTALS  DEFECTS  GROWTH  WELLS   Significant increase of light emission efficiency by in situ site-selective etching of InGaN quantum wells 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1063/1.3176931, 2009 Fang, Zhilai; 方志来 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2013/12/12 EMITTING DEVICES  GAN  STRAIN  REDUCTION  NITRIDE  GROWTH   Room temperature photoluminescence of tensile-strained Ge/Si013Ge087 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1063/1.3114408, 2009 Chen, YH; Li, C; Zhou, ZW; Lai, HK; Chen, SY; Ding, WC; Cheng, BW; Yu, YD; 李成; 陈松岩 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/07/22 chemical vapour deposition  elemental semiconductors  energy gap  germanium  Ge-Si alloys  photoluminescence  semiconductor epitaxial layers  semiconductor quantum wells  silicon  tensile strength   Room temperature photoluminescence of tensile-strained Ge/Si013Ge087 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1063/1.3114408, 2009 Chen, Y. H.; Li, C.; Zhou, Z. W.; Lai, H. K.; Chen, S. Y.; Ding, W. C.; Cheng, B. W.; Yu, Y. D.; 陈松岩 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/12/12 chemical vapour deposition  elemental semiconductors  energy gap  germanium  Ge-Si alloys  photoluminescence  semiconductor epitaxial layers  semiconductor quantum wells  silicon  tensile strength   Room temperature photoluminescence of tensile-strained Ge/Si013Ge087 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1063/1.3114408, 2009 Chen, YH; Li, C; Zhou, ZW; Lai, HK; Chen, SY; Ding, WC; Cheng, BW; Yu, YD; 李成 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/12/12 chemical vapour deposition  elemental semiconductors  energy gap  germanium  Ge-Si alloys  photoluminescence  semiconductor epitaxial layers  semiconductor quantum wells  silicon  tensile strength   Deconfinement phase transition in neutron star matter 期刊论文 2009 Li, A.; Peng, G. X.; Lombardo, U.; 李昂 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/12/12 STRANGE QUARK MATTER  NUCLEAR-MATTER   用InGaN/AlGaN超晶格降低p-GaN欧姆接触电阻 期刊论文 2009 郑清洪; 尹以安; 黄瑾; 刘宝林 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2016/05/17 欧姆接触  极化  离化率  空穴面密度  Ohmic contact  polarization  ionization rate  sheet hole density