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科研机构
微电子研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2009 [3]
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发表日期:2009
内容类型:期刊论文
专题:微电子研究所
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一种减少VDMOS寄生电容的新结构
期刊论文
微电子学, 2009, 卷号: 32, 期号: 20, 页码: 3,200-202
作者:
郭丽莎
;
夏洋
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/06/01
Vdmos
电容
Tcad
开关时间
基于SOISi片的二极管红外探测器
期刊论文
微纳电子技术, 2009, 卷号: 46, 期号: 9, 页码: 5,525-529
作者:
何伟
;
陈大鹏
;
明安杰
;
黄卓磊
;
欧毅
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/06/01
红外热成像
红外探测器
二极管 Soi
温度灵敏度
Ir
SOI动态阈值MOS器件结构改进
期刊论文
微电子学, 2009, 卷号: 39, 期号: 2, 页码: 5,280-284
作者:
宋文斌
;
毕津顺
;
韩郑生
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/06/01
绝缘体上硅
动态阈值场效应管
体电容
体电阻
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