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高速砷化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料 专利
专利号: CN200710063375.2, 申请日期: 2009-12-16, 公开日期: 2008-07-16
作者:  叶甜春;  尹军舰;  徐静波;  张海英
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