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科研机构
微电子研究所 [1]
内容类型
专利 [1]
发表日期
2009 [1]
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发表日期:2009
内容类型:专利
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高速砷化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料
专利
专利号: CN200710063375.2, 申请日期: 2009-12-16, 公开日期: 2008-07-16
作者:
叶甜春
;
尹军舰
;
徐静波
;
张海英
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提交时间:2010/11/26
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