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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2009    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083713 作者:  Zhang XW;  You JB;  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：74/1  |  提交时间：2010/03/08 annealing  carrier density  carrier mobility  diffusion  electrical conductivity  electrical resistivity  hydrogen  II-VI semiconductors  impurity states  interstitials  light transmission  plasma materials processing  semiconductor thin films  sputter deposition  vacancies (crystal)  visible spectra  wide band gap semiconductors  zinc compounds   Spin states in InAs/AlSb/GaSb semiconductor quantum wells 期刊论文 physical review b, 2009, 卷号: 80, 期号: 3, 页码: art. no. 035303 作者:  Li J 收藏  |  浏览/下载：155/2  |  提交时间：2010/03/08 ELECTRON-HOLE SYSTEM  BAND-STRUCTURE  COMPOUND SEMICONDUCTORS  RELAXATION ANISOTROPY  GAP HETEROSTRUCTURES  OPTICAL-TRANSITIONS  GROUND-STATE  SUPERLATTICES  FIELD  HYBRIDIZATION   Optical transitions of positively charged excitons and biexcitons in single InAs quantum dots 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 10, 页码: art. no. 103716 作者:  Chang XY;  Jiang DS;  Niu ZC 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/04/04 FINE-STRUCTURE  TRION   Spin relaxation and dephasing mechanism in (Ga,Mn)As studied by time-resolved Kerr rotation 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 14, 页码: art. no. 142109 作者:  Zhang XH;  Chen L 收藏  |  浏览/下载：111/22  |  提交时间：2010/03/08 Curie temperature  ferromagnetic materials  gallium compounds  Kerr magneto-optical effect  magnetic relaxation  magnetic thin films  manganese compounds  semimagnetic semiconductors  spin dynamics  time resolved spectra   Effect of Ka-band microwave on the spin dynamics of electrons in a GaAs/Al0.35Ga0.65As heterostructure 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 19, 页码: art. no. 192107 作者:  Qian X 收藏  |  浏览/下载：84/7  |  提交时间：2010/03/08 aluminium compounds  carrier lifetime  gallium arsenide  high-frequency effects  III-V semiconductors  optical Kerr effect  semiconductor heterojunctions  spin dynamics  two-dimensional electron gas   Energy Levels of Hydrogenic Impurities in InAs Quantum Ring 期刊论文 spectroscopy and spectral analysis, 2009, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 607-610 Zheng WL; Li ZW; Wang XF 收藏  |  浏览/下载：222/51  |  提交时间：2010/03/08 Effective mass  Binding energies  Perturbation method  Quantum ring