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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2008     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种SiGe弛豫衬底材料及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 赵雷; 左玉华; 王启明 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2009/06/11 一种SiGe弛豫衬底材料及其制备方法 专利 专利号: CN101207093A, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2008-06-25 作者:  赵雷;  左玉华;  王启明 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18 氧化法制备硅基SiGe弛豫衬底的研究 学位论文 2008, 2008 蔡坤煌 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2016/02/14 SiGe弛豫衬底  SiGeOI缓冲层  氧化  Ge浓缩  SiGe buffer layer  SiGeOI layer  Oxidation  Ge-condensation