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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2008     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 PDSOI体源连接环形栅nMOS特性研究 期刊论文 固体电子学研究与进展, 2008, 期号: 1 作者:  毕津顺;  海潮和 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/05/27 部分耗尽绝缘体上硅  环形栅 浮体效应  体源连接   SOI LDMOSFET的背栅特性 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: 5，2148-2152 作者:  毕津顺;  宋李梅;  海潮和;  韩郑生 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/05/27 绝缘体上硅 横向双扩散功率晶体管 背栅效应   新型部分耗尽SOI器件体接触结构 期刊论文 半导体技术, 2008, 卷号: 33, 期号: 11, 页码: 4，968-971 作者:  宋文斌 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/05/27 绝缘体上硅 浮体效应  体接触  寄生电容  体电阻