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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2008     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 纳米梁上MOS电容衬底的压阻结构及检测方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101251426, 申请日期: 2008-08-27, 公开日期: 2008-08-27 杨恒; 吴燕红; 成海涛; 王跃林 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/01/06 HIRFL-CSRm电子冷却模拟与实验 学位论文 2008 冒立军 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/01/24 电子冷却   平面酞菁弱取向外延薄膜的KPFM研究 学位论文 博士, 长春应用化学研究所: 中国科学院长春应用化学研究所, 2008 黄海超 收藏  |  浏览/下载：87/0  |  提交时间：2011/01/17 有机半导体  弱外延生长  晶粒间界  电荷输运  开尔文探针力显微镜