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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2008    专题：金属研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of Ar on Polycrystalline Si Films Deposited by ECR-PECVD using SiH4 期刊论文 Journal of Materials Science & Technology, 2008, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: 690-692 H. Cheng; A. M. Wu; N. L. Shi; L. S. Wen 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/04/13 Ar flow rate  ECR-PECVD  Poly-Si  Thin Films  chemical-vapor-deposition  microcrystalline silicon  low-temperatures  plasma  growth  transition  hydrogen