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用于提高非制冷红外焦平面阵列器件性能的制作方法 专利
专利号: CN200510090179.5, 申请日期: 2008-05-14, 公开日期: 2007-02-14
作者:  叶甜春;  欧毅;  焦斌斌;  李超波;  陈大鹏
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