用于提高非制冷红外焦平面阵列器件性能的制作方法

	用于提高非制冷红外焦平面阵列器件性能的制作方法
	叶甜春; 欧毅; 焦斌斌; 李超波; 陈大鹏; 石莎莉
	2008-05-14
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200510090179.5
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	一种用于提高非制冷红外焦平面阵列器件性能的制作方法，步骤如下：在双抛光<100>硅基片双表面淀积上氮化硅薄膜和下氮化硅薄；在下氮化硅薄膜上光刻、刻蚀，形成背面阵列腐蚀窗口图形；府蚀减薄硅基片，形成倒梯形缺口；清洗处理表面，在背面的倒梯形缺口和下氮化硅薄膜的表面上淀积氮化硅薄膜；在氮化硅薄膜上光刻、刻蚀，形成背面单元腐蚀窗口图形；在上氮化硅薄膜上光刻，刻蚀，形成非制冷红焦平面阵列图形；在非制冷红焦平面阵列图形上光刻，蒸金薄膜，剥离，形成间隔镀金图形；腐蚀硅基片，形成单元镂空式非制冷红外焦平面阵列器件。
公开日期	2007-02-14
申请日期	2005-08-11
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/7286]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	叶甜春,欧毅,焦斌斌,等. 用于提高非制冷红外焦平面阵列器件性能的制作方法. CN200510090179.5. 2008-05-14.