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一种MEMS微型高灵敏度磁场传感器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1912646, 申请日期: 2007-02-14, 公开日期: 2007-02-14
吴亚明; 刘玉菲; 李四华; 万助军
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