| 一种MEMS微型高灵敏度磁场传感器及制作方法 | |
| 吴亚明 ; 刘玉菲 ; 李四华 ; 万助军 | |
| 2007-02-14 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1912646 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种MEMS微型高灵敏度磁场传感器及制作方法，其特征 在于所述的磁场传感器是由双端固置式MEMS扭转微镜、磁性敏感薄膜和 双光纤准直器构成；金属反馈电极和磁性敏感薄膜之间形成器件扭转间隙； 通过调节架，利用光学封装树脂，完成与双光纤准直器的封接。其制作方法 特征是利用MEMS技术制作微磁敏感结构与光纤检测技术结合，包括传感 器基底及反馈电极制作、传感器磁场薄膜的制作、器件键合、整体减薄及反 射镜面的制作以及器件扭转结构释放四大步骤，所提供的磁场传感器最小可 敏感到60nT的微弱磁场，灵敏度达0. |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2007-02-14 |
| 申请日期 | 2006-09-01 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200610030766.X |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48339]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴亚明,刘玉菲,李四华,等. 一种MEMS微型高灵敏度磁场传感器及制作方法. CN1912646. 2007-02-14. |
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