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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2007    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Columnar structures and stress relaxation in thick GaN films grown on sapphire by HVPE 期刊论文 chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 822-824 Wei TB (Wei Tong-Bo); Ma P (Ma Ping); Duan RF (Duan Rui-Fei); Wang JX (Wang Jun-Xi); Li JM (Li Jin-Min); Zeng YP (Zeng Yi-Ping) 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/03/29 VAPOR-PHASE EPITAXY   Using different carrier gases to control AlN film stress and the effect on morphology, structural properties and optical properties 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 23, 页码: 7462-7466 Hu, WG; Liu, XL; Jiao, CM; Wei, HY; Kang, TT; Zhang, PF; Zhang, RQ; Fan, HB; Zhu, QS 收藏  |  浏览/下载：55/4  |  提交时间：2010/03/08 VAPOR-PHASE EPITAXY  WURTZITE-TYPE CRYSTALS  THIN-FILMS  ALUMINUM NITRIDE  INTRINSIC STRESS  GAN  SAPPHIRE  AIN  DEPOSITION  STRAIN