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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2006    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Probing deep level centers in gan epilayers with variable-frequency capacitance-voltage characteristics of au/gan schottky contacts 期刊论文 Applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 14, 页码: 3 作者:  Wang, R. X.;  Xu, S. J.;  Shi, S. L.;  Beling, C. D.;  Fung, S. 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Optical properties and g factors of GaAs quantum rods 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 2, 页码: 376-380 Zhang XW (Zhang X. W.); Zhu YH (Zhu Y. H.); Xia JB (Xia J. B.) 收藏  |  浏览/下载：84/0  |  提交时间：2010/04/11 quantum rods  g factors  WIRES  CARRIERS  ENERGY  DOTS   Probing deep level centers in GaN epilayers with variable-frequency capacitance-voltage characteristics of Au/GaN Schottky contacts 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 14, 页码: art.no.143505 Wang RX (Wang R. X.); Xu SJ (Xu S. J.); Shi SL (Shi S. L.); Beling CD (Beling C. D.); Fung S (Fung S.); Zhao DG (Zhao D. G.); Yang H (Yang H.); Tao XM (Tao X. M.) 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/04/11 DISLOCATIONS  DEGRADATION   Strain analysis of InP/InGaAsP wafer bonded on Si by X-ray double crystalline diffraction 期刊论文 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2006, 卷号: 133, 期号: 1-3, 页码: 117-123 Zhao HQ (Zhao Hong-Quan); Yu LJ (Yu Li-Juan); Huang YZ (Huang Yong-Zhen); Wang YT (Wang Yu-Tian) 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/04/11 InP  Si  X-ray double crystalline diffraction  thermal strain  wafer bonding  OPTOELECTRONIC DEVICES  EPITAXIAL OVERGROWTHS  TEMPERATURE  INTERFACE  STRESSES  VCSELS  SURFACES  ENERGY   Electron resonant tunneling through InAs/GaAs quantum dots embedded in a Schottky diode with an AlAs insertion layer 期刊论文 journal of the electrochemical society, 2006, 卷号: 153, 期号: 7, 页码: g703-g706 作者:  Ye XL;  Xu B;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：90/0  |  提交时间：2010/04/11 GAAS  SPECTROSCOPY  PARAMETERS  TRANSPORT  LASERS  ENERGY  STATES  HOLE   Recombination property of nitrogen-acceptor-bound states in ZnO 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 4, 页码: art.no.046101 Yang XD; Xu ZY; Sun Z; Sun BQ; Ding L; Wang FZ; Ye ZZ 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  P-TYPE ZNO  OPTICAL-PROPERTIES  EXCITON FORMATION  PHOTOLUMINESCENCE  FILMS  SPECTROSCOPY  DYNAMICS  IMPURITY  ENERGY