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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2006    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Chemical composition and elastic strain in alingan quaternary films 期刊论文 Thin solid films, 2006, 卷号: 515, 期号: 4, 页码: 1429-1432 作者:  Zhou, Shengqiang;  Wu, M. F.;  Yao, S. D.;  Liu, J. P.;  Yang, H. 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Rutherford backscattering spectroscopy  Stress  X-ray diffraction  Quaternary compounds  Iii-v semiconductors   Interfaces in heterostructures of alingan/gan/al2o3 期刊论文 Superlattices and microstructures, 2006, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 429-435 作者:  Zhou, SQ;  Wu, MF;  Yao, SD;  Liu, JP;  Yang, H 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Nitride semiconductors  Interface  Rutherford backscattering/channeling  Transmission electron microscopy  X-ray diffraction   带有A1N插入层的GaN薄膜的结构及应变研究 期刊论文 原子能科学技术, 2006, 卷号: 40, 期号: 5, 页码: 614-619 作者:  赵强 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/11/23 Interfaces in heterostructures of AlInGaN/GaN/Al2O3 期刊论文 superlattices and microstructures, 2006, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 429-435 Zhou SQ; Wu MF; Yao SD; Liu JP; Yang H 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/04/11 nitride semiconductors  interface  Rutherford backscattering/channeling  transmission electron microscopy  x-ray diffraction  SUPER-LATTICES  STRAIN  GAN   Chemical composition and elastic strain in AlInGaN quaternary films 期刊论文 thin solid films, 2006, 卷号: 515, 期号: 4, 页码: 1429-1432 Zhou, SQ (Zhou, Shengqiang); Wu, MF (Wu, M. F.); Yao, SD (Yao, S. D.); Liu, JP (Liu, J. P.); Yang, H (Yang, H.) 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/03/29 Rutherford backscattering spectroscopy   PIXE analysis of Fe content in Fe-implanted GaN film 期刊论文 nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 2006, 卷号: 252, 期号: 2, 页码: 225-229 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/03/29 PIXE