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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2006    内容类型：会议论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 部分耗尽SOI MOSFET总剂量效应与偏置状态的关系 会议论文 高能物理与核物理, 2006 俞文杰; 王茹; 张正选; 钱聪; 贺威; 田浩; 陈明 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2012/01/18 绝缘体硅 总剂量辐射效应 背沟道 掩埋氧化层 数值模型 载流子复合