部分耗尽SOI MOSFET总剂量效应与偏置状态的关系

	部分耗尽SOI MOSFET总剂量效应与偏置状态的关系
	俞文杰 ; 王茹 ; 张正选 ; 钱聪 ; 贺威 ; 田浩 ; 陈明
	2006
会议名称	高能物理与核物理
会议日期	2006
关键词	绝缘体硅总剂量辐射效应背沟道掩埋氧化层数值模型载流子复合
中文摘要	实验表明SOI MOSFET掩埋氧化层中的总剂量辐射效应与辐射过程中的偏置状态有关.对诱发背沟道泄漏电流的陷阱电荷进行了研究.建立一个数值模型来模拟不同偏置下陷进电荷的建立,它包括辐射产生的载流子复合和俘获的过程.模拟结果与实验结果相符,解释了总剂量辐射效应受偏置状态影响的机理.
会议网址	http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6453593.aspx
会议录	高能物理与核物理
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55822]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	俞文杰,王茹,张正选,等. 部分耗尽SOI MOSFET总剂量效应与偏置状态的关系[C]. 见:高能物理与核物理. 2006.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6453593.aspx.