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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2005    专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 用深反应离子刻蚀和介质填充技术制造具有高深宽比的超深电隔离槽 期刊论文 半导体学报, 2005 朱泳; 闫桂珍; 王成伟; 杨振川; 范杰; 周健; 王阳元 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/12 深反应离子刻蚀 电隔离槽 体微结构 单片集成 deep reactive ion etching electrical isolation trenches bulk microstructures monolithic integration