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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2003    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth 会议论文 iumrs/icem 2002 conference, xian, peoples r china, jun 10-14, 2002 Zhang ZC; Ren BY; Chen YH; Yang SY; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/11/15 Czochralski method  growth from melt  semiconductor silicon  argon gas flow  computer simulation  oxygen content  FURNACE PRESSURE   Influence of heated catalyzer on thermal distribution of substrate in HWCVD system 期刊论文 thin solid films, 2003, 卷号: 430, 期号: 1-2, 页码: 50-53 Zhang Q; Zhu M; Wang L; Liu E 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 catalyzer  hot-wire chemical vapor deposition  simulation  AMORPHOUS-SILICON  DEPOSITION   Influence of heated catalyzer on thermal distribution of substrate in HWCVD system 会议论文 2nd international conference on cat-cvd (hot-wire cvd) process, denver, colorado, sep 10-13, 2002 Zhang Q; Zhu M; Wang L; Liu E 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 AMORPHOUS-SILICON  DEPOSITION