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SOI MOSFET因辐照引起的部分耗尽与全耗尽过渡区的漂移 期刊论文
半导体学报, 2001
万新恒; 张兴; 黄如; 甘学温; 王阳元
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深亚微米FD-SOI器件亚阈模型 期刊论文
半导体学报, 2001, 期号: 7, 页码: 908-914
作者:  程彬杰;  邵志标;  唐天同;  沈文正;  赵文魁
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