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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [3]
会议论文 [1]
发表日期
2001 [4]
学科主题
半导体材料 [4]
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发表日期:2001
学科主题:半导体材料
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Epitaxial growth of SiC on complex substrates
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Sun GS
;
Li JM
;
Luo MC
;
Zhu SR
;
Wang L
;
Zhang FF
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2010/11/15
optical microscopy
X-ray diffraction
molecular beam epitaxy
semiconducting silicon compounds
SAPPHIRE
DEPOSITION
FILMS
Effect of as interstitial diffusionon on the properties of undoped semi-insulating LECGaAs
期刊论文
rare metals, 2001, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 187-191
Yang RX
;
Zhang FQ
;
Chen NF
收藏
  |  
浏览/下载:93/3
  |  
提交时间:2010/08/12
semi-insulating GaAs
intrinsic acceptor defects
As interstitial indiffusion
As pressure
annealing
SEMIINSULATING GAAS
Photoluminescence of AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs with different thickness of spacer layer
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 231, 期号: 4, 页码: 520-524
Cao X
;
Zeng YP
;
Kong MY
;
Pan LA
;
Wang BQ
;
Zhu ZP
;
Wang XG
;
Chang Y
;
Chu JH
收藏
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浏览/下载:135/8
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提交时间:2010/08/12
molecular beam epitaxy
semiconducting III-V materials
high electron mobility transistors
ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR
CARRIER DENSITY
QUANTUM-WELLS
BAND-GAP
Epitaxial growth of SiC on complex substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 811-815
Sun GS
;
Li JM
;
Luo MC
;
Zhu SR
;
Wang L
;
Zhang FF
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:95/9
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提交时间:2010/08/12
optical microscopy
X-ray diffraction
molecular beam epitaxy
semiconducting silicon compounds
SAPPHIRE
DEPOSITION
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