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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2001    学科主题：半导体材料    内容类型：期刊论文    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Changing the size and shape of Ge island by chemical etching 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 231, 期号: 1-2, 页码: 17-21 Gao F; Huang CJ; Huang DD; Li JP; Sun DZ; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：176/52  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  etching  nanostructures  molecular beam epitaxy  semiconducting germanium  semiconducting silicon  QUANTUM DOTS  INAS  GROWTH  STRAIN   Size and shape evolution of self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots influenced by seed layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 1005-1009 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：126/19  |  提交时间：2010/08/12 low dimensional structures  molecular beam epitaxy  nanomaterials  INAS ISLANDS  GAAS  GROWTH  GAAS(100)  THICKNESS  DENSITY