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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2000    专题：西安交通大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 BF+2注入硅栅p沟MOS场效应晶体管辐射感生界面陷阱测量 期刊论文 原子能科学技术, 2000, 期号: 4, 页码: 350-354 作者:  张正选;  罗晋生;  袁仁峰;  张廷庆;  姜景和 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/07 硅栅PMOSFET  二氟化硼  辐射感生界面陷阱